Sisäänkirjautuminen

Amiri, Iraj Sadegh

Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor

Amiri, Iraj Sadegh - Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor, e-kirja

58,65€

E-kirja, PDF, Adobe DRM-suojattu
ISBN: 9789811065507
DRM-rajoitukset

TulostusEi sallittu
Kopioi leikepöydälleEi sallittu

Table of contents

1. Introduction on Scaling Issues of Conventional Semiconductors
Iraj Sadegh Amiri, Mahdiar Ghadiry

2. Basic Concept of Field-Effect Transistors
Iraj Sadegh Amiri, Mahdiar Ghadiry

3. Methodology for Modelling of Surface Potential, Ionization and Breakdown of Graphene Field-Effect Transistors
Iraj Sadegh Amiri, Mahdiar Ghadiry

4. Results and Discussion on Ionization and Breakdown of Graphene Field-Effect Transistor
Iraj Sadegh Amiri, Mahdiar Ghadiry

5. Conclusion and Future Works on High-Voltage Application of Graphene
Iraj Sadegh Amiri, Mahdiar Ghadiry

Avainsanat: Engineering, Nanotechnology and Microengineering, Electronic Circuits and Devices, Nanotechnology

Tekijä(t)
 
Julkaisija
Springer
Julkaisuvuosi
2018
Kieli
en
Painos
1
Sarja
SpringerBriefs in Applied Sciences and Technology
Sivumäärä
9 sivua
Kategoria
Tekniikka, energia, liikenne
Tiedostomuoto
E-kirja
eISBN (PDF)
9789811065507
Painetun ISBN
978-981-10-6549-1

Samankaltaisia e-kirjoja