Sun, Yabin
Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT
Table of contents
1. Introduction
Yabin Sun
2. Ionization Damage Effect in SiGe HBT
Yabin Sun
3. Displacement Effects in SiGe HBT
Yabin Sun
4. Single Event Transients in SiGe HBT
Yabin Sun
5. Small-Signal Equivalent Circuit for SiGe HBT Based on Distributed Network
Yabin Sun
6. Parameter Extraction of SiGe HBTs
Yabin Sun
7. Summary
Yabin Sun
Avainsanat: Engineering, Electronics and Microelectronics, Instrumentation, Semiconductors, Optical and Electronic Materials, Electronic Circuits and Devices, Solid State Physics
- Tekijä(t)
- Sun, Yabin
- Julkaisija
- Springer
- Julkaisuvuosi
- 2018
- Kieli
- en
- Painos
- 1
- Sarja
- Springer Theses
- Sivumäärä
- 24 sivua
- Kategoria
- Tekniikka, energia, liikenne
- Tiedostomuoto
- E-kirja
- eISBN (PDF)
- 9789811046124
- Painetun ISBN
- 978-981-10-4611-7
