Sisäänkirjautuminen

Li, Zhiqiang

The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices

Li, Zhiqiang - The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices, e-kirja

95,45€

E-kirja, PDF, Adobe DRM-suojattu
ISBN: 9783662496831
DRM-rajoitukset

TulostusEi sallittu
Kopioi leikepöydälleEi sallittu

Table of contents

1. Introduction
Zhiqiang Li

2. Ge-based Schottky Barrier Height Modulation Technology
Zhiqiang Li

3. Metal Germanide Technology
Zhiqiang Li

4. Contact Resistance of Ge Devices
Zhiqiang Li

5. Conclusions and Prospects
Zhiqiang Li

Avainsanat: Physics, Semiconductors, Electronic Circuits and Devices, Nanoscale Science and Technology, Solid State Physics

Tekijä(t)
Julkaisija
Springer
Julkaisuvuosi
2016
Kieli
en
Painos
1
Sarja
Springer Theses
Kategoria
Eksaktit luonnontieteet
Tiedostomuoto
E-kirja
eISBN (PDF)
9783662496831
Painetun ISBN
978-3-662-49681-7

Samankaltaisia e-kirjoja