Sisäänkirjautuminen

Ishibashi, Koichiro

Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design

Ishibashi, Koichiro - Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design, e-kirja

142,05€

E-kirja, PDF, Adobe DRM-suojattu
ISBN: 9783642195686
DRM-rajoitukset

TulostusEi sallittu
Kopioi leikepöydälleEi sallittu

Table of contents

1. Introduction
Koichiro Ishibashi

2. Fundamentals of SRAM Memory Cell
Kenichi Osada

3. Electrical Stability (Read and Write Operations)
Masanao Yamaoka, Yasumasa Tsukamoto

4. Low Power Memory Cell Design Technique
Kenichi Osada, Masanao Yamaoka

5. Low-Power Array Design Techniques
Koji Nii, Masanao Yamaoka, Kenichi Osada

6. Reliable Memory Cell Design for Environmental Radiation-Induced Failures in SRAM
Eishi Ibe, Kenichi Osada

7. Future Technologies
Koji Nii, Masanao Yamaoka

Avainsanat: Engineering, Electronics and Microelectronics, Instrumentation, Engineering, general

Tekijä(t)
 
Julkaisija
Springer
Julkaisuvuosi
2011
Kieli
en
Painos
1
Sarja
Springer Series in Advanced Microelectronics
Sivumäärä
11 sivua
Kategoria
Tekniikka, energia, liikenne
Tiedostomuoto
E-kirja
eISBN (PDF)
9783642195686

Samankaltaisia e-kirjoja