Sisäänkirjautuminen

Horiguchi, Masashi

Ultra-Low Voltage Nano-Scale Memories

Horiguchi, Masashi - Ultra-Low Voltage Nano-Scale Memories, e-kirja

109,95€

E-kirja, PDF, Adobe DRM-suojattu
ISBN: 9780387688534
DRM-rajoitukset

TulostusEi sallittu
Kopioi leikepöydälleEi sallittu

Table of contents

1. An Introduction to LSI Design
Kiyoo Itoh, Masashi Horiguchi, Hitoshi Tanaka

2. Ultra-Low Voltage Nano-Scale DRAM Cells
Kiyoo Itoh, Masashi Horiguchi, Hitoshi Tanaka

3. Ultra-Low Voltage Nano-Scale SRAM Cells
Kiyoo Itoh, Masashi Horiguchi, Hitoshi Tanaka

4. Leakage Reduction for Logic Circuits in RAMs
Kiyoo Itoh, Masashi Horiguchi, Hitoshi Tanaka

5. Variability Issue in the Nanometer Era
Kiyoo Itoh, Masashi Horiguchi, Hitoshi Tanaka

6. Reference Voltage Generators
Kiyoo Itoh, Masashi Horiguchi, Hitoshi Tanaka

7. Voltage Down-Converters
Kiyoo Itoh, Masashi Horiguchi, Hitoshi Tanaka

8. Voltage Up-Converters and Negative Voltage Generators
Kiyoo Itoh, Masashi Horiguchi, Hitoshi Tanaka

9. High-Voltage Tolerant Circuits
Kiyoo Itoh, Masashi Horiguchi, Hitoshi Tanaka

DRM-restrictions

Printing: not available
Clipboard copying: not available

Avainsanat: TECHNOLOGY & ENGINEERING / General TEC000000

Tekijä(t)
 
 
Julkaisija
Springer
Julkaisuvuosi
2007
Kieli
en
Painos
1
Kategoria
Tekniikka, energia, liikenne
Tiedostomuoto
E-kirja
eISBN (PDF)
9780387688534

Samankaltaisia e-kirjoja